脱炭素・AI時代の心臓部！SiC/GaNパワーデバイス最前線セミナーで未来を掴む
地球温暖化対策や急速なAI進化に伴い、私たちの社会は今、大きな変革期を迎えています。その中で、電力の効率的な利用は喫緊の課題。特に「電動車（xEV）」の普及や、莫大な電力を消費する「データセンター」の高性能化には、目に見えないところで活躍する 「パワーデバイス」 の進化が不可欠です。
皆さんは、この社会変革を支える中心技術として、「SiC（炭化ケイ素）」や「GaN（窒化ガリウム）」といった次世代半導体材料が注目されていることをご存知でしょうか？
従来のシリコン（Si）半導体の限界を超え、より高効率で小型、そして信頼性の高い電力制御を実現するSiC/GaNパワーデバイス。まさに、脱炭素社会とAIインフラの未来を左右する心臓部と言えるでしょう。
今回、私が注目したのは、そんな次世代パワーデバイスの「今」と「未来」を深く掘り下げる、非常に貴重なオンラインセミナーが開催されるという情報です。この分野の第一人者から直接学べる絶好の機会とあって、専門家から初心者まで、その内容に大きな期待が寄せられています。
次世代を担う技術の核心に迫る！このセミナーが提供する価値とは
このセミナーのテーマは、ずばり 「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」 。 タイトルだけでも、その専門性と重要性が伝わってきますよね。
自動車の電動化（xEV）は、もはや後戻りできない世界的な潮流です。そして、AIの爆発的な発展を支えるデータセンターは、その電力消費をいかに効率化するかが大きな課題。これらの進化には、従来のシリコン（Si）半導体では限界があると言われており、そこに登場するのがSiCとGaNといった 「ワイドバンドギャップ半導体」 なのです。
SiCとGaN、なぜこれほど重要なのか？
簡単に言えば、SiCやGaNは、シリコンに比べて以下のような優れた特性を持っています。
- 高耐圧: より高い電圧に耐えられるため、高電圧が必要なアプリケーションに最適。
- 高速スイッチング: 素早くオン/オフできるため、電力変換時のロスを低減し、高効率化を実現。
- 高温動作: 高温環境下でも安定して動作するため、冷却システムの簡素化や小型化に貢献。
これらの特性は、xEVの電費向上や充電時間の短縮、データセンターのサーバー電源の高効率化、さらには再生可能エネルギーの電力変換効率向上など、多岐にわたる応用が期待されています。
しかし、これらの新材料には、当然ながら技術的な課題も存在します。性能、信頼性、そして何よりもコストの壁をどう乗り越え、市場に広く普及させていくのか。このセミナーでは、そうした疑問に対し、最新の技術動向と具体的な課題、そして将来の展望までを深く掘り下げてくれることでしょう。
「この道の第一人者」が語る、SiC/GaNの現在と未来
本セミナーの講師を務めるのは、筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授の岩室 憲幸氏です。岩室先生は、1988年からIGBTやWBG（ワイドバンドギャップ）デバイスの研究・開発・製品化に携わってきた、まさにこの分野のレジェンドと言える存在。
富士電機での長年の経験に加え、産業技術総合研究所ではSiC-MOSFETの研究や量産技術開発にも従事し、現在は筑波大学で教鞭をとられています。
「パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD)の組織委員会委員」を務めたり、「日経エレクトロニクス パワエレアワード 最優秀賞」を受賞されたりといった輝かしい実績もさることながら、数多くの専門書籍を執筆・監修されている点からも、その知識の深さと業界への貢献度が伺えます。
SiCやGaNパワーデバイスの普及において、「強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら」解説するという言葉からも、多角的な視点から、現状と未来を冷静に、かつ的確に分析する姿勢が伝わってきます。これほどの実績を持つ方から直接指導を受けられる機会は、滅多にないでしょう。
セミナープログラムを深掘り！何が学べるのか？
具体的に、どのような内容が学べるのでしょうか。プログラムの一部をご紹介しましょう。
1. パワーエレクトロニクスとは？
まずは基礎の基礎から。パワーエレクトロニクスの役割やパワーデバイスの種類、適用分野などを網羅的に解説。専門知識に自信がない方も安心ですね。
2. 最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
SiC/GaNの登場により影が薄くなったと思われがちなシリコンデバイスですが、実は今も進化を続けています。MOSFETやIGBTといった主要なシリコンデバイスの特性向上技術や、最新の構造（例えば逆導通IGBT）についても学ぶことで、SiC/GaNとの比較検討がより深くできるようになるでしょう。
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
SiCの優れた利点だけでなく、SiC-MOSFETのプロセス技術、普及拡大のポイント、そして特性改善や信頼性向上のための具体的な技術まで、実践的な内容が期待できます。
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
GaNデバイスは「横型GaN on Si」が主流ですが、なぜその構造が選ばれているのか？といった根本的な疑問にも答えてくれるはずです。GaN-HEMTの特徴や課題、ノーマリーオフ化の技術、そして将来有望な「縦型GaNデバイス」の動向にも触れることで、GaN技術の全体像を把握できます。
5. 高温対応実装技術
パワーデバイスが高性能化すればするほど、発熱対策や信頼性確保のための「実装技術」が重要になります。高温動作がもたらすメリットや、SiC-MOSFETモジュール用パッケージの開発動向など、実際の製品開発に直結する内容も網羅されています。
個人的には、従来のSiデバイスの進化も踏まえつつ、SiC/GaNの課題と可能性を多角的に分析する点が非常に魅力的だと感じています。具体的な課題解決のヒントや、将来の技術ロードマップを描く上で不可欠な視点が得られることでしょう。
こんな方には特におすすめ！
このセミナーは、特に以下のような方々に最適な内容と言えるでしょう。
- パワーエレクトロニクス開発ご担当者様: 最新のデバイス技術動向を製品開発に活かしたい方。
- パワーデバイス開発ご担当者様: SiC/GaNデバイスの設計、プロセス、実装技術の最前線を知りたい方。
- パワーエレクトロニクス機器販売ご担当者様: 顧客への提案力を高めるため、技術的背景を深く理解したい方。
- パワーデバイス販売ご担当者様: 新しい市場トレンドや競争優位性を見極めたい方。
- 研究者・学生: 次世代半導体技術の基礎から応用まで体系的に学びたい方。
脱炭素・AI時代を牽引する技術の最前線に触れることは、あなたのキャリアや研究に必ずや新たな視点をもたらすはずです。
未来への投資、受講料と賢い申し込み術
これだけ充実した内容と、この分野の第一人者から直接学べる機会。受講料は以下の通りです。
- 一般価格: 55,000円（税込）
- メルマガ会員価格: 49,500円（税込）
- アカデミック価格: 26,400円（税込）
専門知識への投資として考えれば、その価値は計り知れません。特に、主催の(株)シーエムシー・リサーチのメルマガに登録するだけで5,500円の割引が適用されるのは嬉しいポイントです。アカデミック価格も用意されており、学生や研究者の方々にも門戸が開かれています。
質疑応答の時間も設けられているため、日頃抱えている疑問を直接講師にぶつけられる貴重なチャンスでもあります。この知識が、あなたの研究や業務に新たなブレークスルーをもたらす可能性を秘めていると考えれば、十分にコストパフォーマンスの高い投資と言えるでしょう。
開催概要と今すぐのアクション
このセミナーは、オンラインでのライブ配信形式で開催されます。ご自身の環境から、最先端の知見を吸収できるのは大きなメリットです。
- 開催日時: 2026年2月10日（火）10:30～16:30
- 形式: **Zoomによるライブ配信 **（資料付）
- 講師: **岩室 憲幸 氏 **（筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授）
- 主催: (株)シーエムシー・リサーチ
参加申し込みは、主催の(株)シーエムシー・リサーチのウェブサイトから簡単に行えます。詳細な情報や申し込み手続きについては、以下のリンクをご確認ください。
(株)シーエムシー・リサーチは、先端技術情報や市場動向に特化したセミナーや書籍を提供しており、常に業界の最前線を追いかける企業として知られています。その品質には定評があり、今回のセミナーも安心して受講できることでしょう。
結びに
脱炭素化とAIの進化は、もはや避けられない未来です。その基盤を支えるSiC/GaNパワーデバイスの技術は、私たちの生活、産業、そして地球環境そのものに大きな影響を与えます。
このセミナーは、その最前線で何が起こっているのか、どのような課題があり、そして未来がどう開けるのかを、体系的かつ深く理解するためのまたとない機会です。研究や業務でSiC/GaN技術を深く活用したいなら、この機会を見逃す手はありません。
2026年2月10日、未来を拓く技術の核心へ、あなたも一歩踏み出してみませんか？
